2025 年 5 月 29 日，VISHAY 推出一款采用无引线键合（BWL）封装并具有业内先进导通电阻的新款 80V TrenchFET® Gen IV N 沟道功率 MOSFET---SiEH4800EW，旨在提高工业应用的效率。与相同尺寸的竞品器件相比，其导通电阻低 15%，而 RthJC 低 18%